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电子元器件详细资料 » IC[33706] » ZXMHC3A01N8TC
型号:ZXMHC3A01N8TC类别:FET - 阵列制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC
系列-
制造商Diodes Inc
FET型2 个 N?通道和 2 个 P 通道(H 桥)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.17A,1.64A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C125 毫欧 @ 2.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs3.9nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds190pF @ 25V
功率_最大870mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOP
包装带卷 (TR)

供应商

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ZXMHC3A01N8TC相关型号

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